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韓国与党が半導体法案、トランプ次期米大統領を警戒

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トランプ次期米政権、AIや半導体など対中制裁はより厳しく

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ドナルド・トランプ氏が米大統領選で返り咲きした。トランプ氏は国内産業を保護するため、海外からの輸入品に高い関税を課す意向を表明しているほか、中国のAI(人工知能)や半導体など先端技術分野への投資や輸出制限をさらに強化する »

韓国SKグループ、越半導体企業ISCVinaを3億米ドルで買収

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世界の半導体製造設備向け支出、25年〜27年に4000億米ドルに=SEMI

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欧萊新材、25.9億元投じて広東省に新工場

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韓国SKハイニックス、世界初の第6世代10nmクラスDRAM「DDR5」の開発に成功

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米国、韓国SKハイニックスの先端チップ工場に4.5億米ドルの補助金支給

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米バイデン政権はこのほど、韓国半導体最大手のSKハイニックスが計画するインディアナ州への先端チップのパッケージングと研究施設の建設に対し、4億5000万米ドル(約661億500万円)の補助金と5億米ドルの融資を行うと発表 »

サムスン、次世代「HBM4」に4nmプロセス採用へ 

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TSMC、HBM4チップを大量受注か

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上海啓元気体、安徽省に半導体向け特殊ガス工場

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電子向け特殊ガスメーカーの上海啓元気体発展(上海市)は19日、安徽省合肥市に半導体先端プロセス向け電子特殊ガス工場を建設することで、地元政府と投資協定を締結した。幸福肥東が伝えた。 上海啓元気体は提携関係にある韓国系メー »

韓国政府、総額26兆ウォンの半導体チップ補助金政策を発表

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中国企業がHBM量産準備、生成AIブームで需要急増

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生成人工知能(AI)の普及で需要が急速に高まる高帯域幅メモリー(HBM)市場への本格参入に中国企業が動き始めている。HBMは非常に高いデータ転送速度を持ったDRAMで、2013年に初めて製造された。中国は同分野で出遅れて »

韓国が半導体支援、10兆ウォン超の政策パッケージ導入へ

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韓国の崔相穆経済副首相兼企画財政相は10日、自国半導体産業の競争力引き上げに向け、10兆ウォン(約1兆1400億円)超の政策パッケージを導入すると発表した。 »

韓国SKハイニックス、新メモリ工場に約20兆ウォン投資発表

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韓国半導体最大手のSKハイニックスは24日、約20兆ウォン(約2兆2000億円)を投じて韓国の忠清北道清州市に次世代HBM(広帯域ストレージ)などDRAMを生産する新工場「M15X」を建設すると発表した。世界で急成長する »

SKハイニックス、38.7億米ドル投じ米国にチップ封止工場建設を発表

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韓SKハイニックス、韓国に120兆ウォン超投じウエハー4工場を建設へ

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韓SKハイニックス、上海法人を閉鎖

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サムスンとSKハイニックス、中古半導体製造設備の販売停止

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英フィナンシャルタイムズの報道によると、韓国のサムスン電子とSKハイニックスが中古半導体製造設備の対外販売を停止した。米国による対中半導体規制や対ロシア制裁のルールに抵触することを懸念した対応という。芯智訊が13日伝えた »

米Micron、NVIDIAの最新AIチップ「H200」向けHBMの量産開始

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米半導体大手のMicronTechnology(マイクロン・テクノロジー)は26日、米NVIDIA(エヌビディア)の最新AI(人工知能)チップ向け高帯域幅メモリー半導体(HBM)製品「Micron HBM3E」の量産を開 »

SKハイニックス、米国に先端パッケージング工場建設検討か

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日本経済産業省、日米韓連合の光チップ技術開発に452億円を拠出

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米OpenAI、韓サムスン・SKハイニックスにチップ工場設立で協力要請

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韓国の斗山グループ、SFA半導体を買収へ  パッケージング事業に参入

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SKハイニックス、中国工場の技術改良計画 米の対中輸出規制に対応

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韓国半導体大手のSKハイニックスが、米国の対中国EUV(極端紫外線)露光装置輸出規制への対応策として、中国半導体工場の技術改良を準備しているもようだ。 »

韓SKハイニックス、AIチップ事業の新部門を設立

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米政府が30億米ドル拠出、先端パッケージング技術開発に資金提供

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韓サムスン、来年1月から米NVIDIAにメモリチップ「HBM3」を供給へ

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AIチップの韓国Rebellions、1億米ドルの資金調達を計画

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Vivoの最新スマホ「X100」、SKハイニクスのDRAM「LPDDR5T」搭載か

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米の半導体輸出規制、サムスンとSKの中国工場は無期限で適用除外に

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韓国大統領室は9日、米国政府がサムスン電子とSKハイニックスの中国半導体工場に米国製の半導体製造装置を供給することを無期限で認める決定をしたことを明らかにした。 »

米国、サムスンとSKの中国工場を半導体設備輸出の規制対象外に=韓国メディア

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韓SKハイニックス、AI向けDRAM新製品「HBM3E」を開発

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韓国半導体大手のSKハイニックスは21日、AI(人工知能)向け超高性能DRAM新製品「HBM3E」の量産開発に成功し、性能検証のため顧客へのサンプル提供を開始したと発表した。2024年前半からHBM3Eの量産を開始する計 »

サムスンとSK、超高層3D NANDの主導権巡り火花

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NAND型フラッシュメモリーの技術が大きく前進する。サムスンとSKハイニックスの韓国の半導体大手2社は相次いで、メモリーセルの積層数が300層を超える超高層3DNANDフラッシュメモリーの技術を公表。超高層3D NAND »

米の対中半導体規制、韓国・台湾企業への免除延長へ

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NANDフラッシュメモリの長江存儲、「脱米国」で24年にも試験生産か

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米、サムスン・SK中国工場の生産に制限も

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米商務省のアラン・エステベス次官は現地時間23日、米国が対中半導体輸出規制強化策を通じて先端半導体技術の中国流入を禁止することについて、中国に工場を設けている韓国サムスンやSKハイニックスなどの海外の半導体製造企業に対し »