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サムスン、ゲートピッチ42nmの3D積層ロジックトランジスタを業界初公開

2026/6/18

韓国サムスン電子の半導体研究センターは17日、6月14日から18日にかけて開催された「2026年超大規模集積回路(VLSI)技術シンポジウム」で、「先進ロジック応用向けに三層積層ナノシートチャネルを採用した、ゲートピッチ42nmの3D積層電界効果トランジスタの初実証」と題する研究論文を発表した。

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