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SKハイニックス、メモリー業界初の量産型High NA EUV装置を導入
韓国の半導体大手、SKハイニックスは3日、世界で初めて量産対応型のHigh NA（高開口数）EUV（極端紫外線）リソグラフィー（露光）装置を韓国・利川のDRAM工場「M16」に導入し、装置搬入を記念する式典を開催したと発表した。
High NA EUVは、既存のEUV装置よりも高い開口数（NA）を実現し、飛躍的に解像度を向上させる次世代の露光技術。より微細な回路パターンを描くことが可能で、線幅縮小や集積度向上において重要な役割を果たすと期待されている。
式典にはオランダの半導体製造装置メーカーASML韓国のキム・ビョンチャン社長、SKハイニックス未来技術研究院長兼最高技術責任者（CTO）のチャ・ソンヨン副社長、製造技術担当のイ・ビョンギ副社長らが出席し、次世代DRAM生産装置の導入を祝った。
SKハイニックは「半導体市場で競争が激しさを増すなか、当社は迅速な研究開発と高性能製品の供給を両立する基盤を構築できた。今後もパートナーとの緊密な協力を通じ、世界の半導体サプライチェーンの信頼性と安定性をさらに高めていく」とコメントしている。
