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SKハイニックス、ASMLのEUV露光装置を調達へ
韓国の半導体大手、SKハイニックスは24日、オランダの露光装置大手ASMLからEUV（極端紫外線）リソグラフィー（露光）装置を80億ドル（約1兆2712億円）で購入すると発表した。韓国メモリチップメーカーがメモリ市場の主導権を争う上での最大規模の設備投資の一つとなる。
同社の公告によれば、SKハイニックスは24日にASMLのEUVスキャナーを調達することを確認した。調達総額は約11兆9500億ウォン（約79億7000万ドル）で、同社の2024年末時点の総資産の9.97%に相当する。取引期間は約2年間で、設備の調達・設置・アップグレードを含み、27年12月までに完了する見込みだ。
SKハイニックスは、今回の調達はHBM（高帯域幅メモリ）に代表されるAI（人工知能）メモリ需要の増大への対応と、汎用DRAMの生産能力拡大を目的としていると説明した。また、SKハイニックスが第6世代（1c）DRAMプロセスの開発加速という戦略目標とも密接に結びついている。
韓国聯合ニュースの報道によれば、今回のEUV装置調達はSKハイニックスが1cプロセスの開発を加速させる計画に直接貢献するものとみられ、同プロセスはHBM、DDR5、LPDDR6などの重要な次世代製品に適用される見通しだ。
SKハイニックスは現在1bプロセスを使用してHBM4のコアダイを製造しており、HBM4E製品では1c DRAMプロセスへの切り替えを計画している。ロジックダイについては引き続き半導体受託生産（ファウンドリー）世界大手の台湾積体電路製造（TSMC、台積電）の3ナノメートル（nm）プロセスに依存する方針だ。これに対してサムスンはすでにHBM4製品に1c DRAMプロセスをいち早く採用しており、プロセス推進のペースで先行してSKハイニックスに直接的な競争圧力をかけている。
設備調達に加え、SKハイニックスの生産能力拡大の歩みも加速している。東亜日報の報道によれば、同社は清州のM15Xウェーハ工場における第2クリーンルームを最近前倒しで開放し、設備設置計画を当初予定の5月より約2カ月早めて着手した。現在、2棟のクリーンルームはいずれも本格稼働の準備段階に入っている。計画では、SKハイニックスは2027年に龍仁半導体クラスターの第1ウエハー工場が竣工・稼働するまでの間、M15Xを活用して次世代HBMの需要に対応する方針だ。
EUV分野への投資についても、SKハイニックスはすでに先行して布石を打っている。ETnwesの従来の報道によれば、同社は利川のM16工場にHigh-NA EUV装置をメモリ量産向けに先行導入し、世界で初めてこの技術をメモリチップの量産に投入したメーカーとなった。同報告書はさらに、SKハイニックスが2027年までに約20台のEUV装置を追加導入する計画であり、これにより同社のEUV装置の保有台数は現在の2倍規模になると示している。
EUV装置1台当たりの調達価格は3000億〜5000億ウォンとされており、この試算に基づけばSKハイニックスのEUV分野への総投資額は6兆ウォンを超える見通しだ。これほどの規模の設備投資は、このメモリ大手が次世代メモリ製造競争において重大な賭けに出ているという戦略的決意を鮮明に映し出している。
