アジア

TSMC、中国製レアアース磁石を使わないモーターへの切り替えを設備メーカーに打診

TSMC、中国製レアアース磁石を使わないモーターへの切り替えを設備メーカーに打診

半導体受託生産(ファウンドリー)世界大手の台湾積体電路製造(TSMC、台積電)が、工場の自動化設備に使用するモーターについて、中国産レアアース磁石を使わない製品に切り替えられるか、設備サプライヤーへの打診を始めた。ロイタ »

米エヌビディア、6社と大規模な増産計画 基板生産能力を3年で2.5倍に

米エヌビディア、6社と大規模な増産計画 基板生産能力を3年で2.5倍に

米半導体大手のNVIDIA(エヌビディア)は21日、米Amkor Technology(アムコー)、日本のイビデン、韓国サムスン電機、台湾の矽品精密(SPIL)、京元電子(KYEC)、欣興電子(ユニマイクロン・テクノロジ »

サムスン電子、27年にシリコンフォトニクスの受託製造事業へ参入計画か

サムスン電子、27年にシリコンフォトニクスの受託製造事業へ参入計画か

AIの計算能力をめぐる競争が激化し、データセンターの消費電力と通信帯域が物理的な限界に近づくなか、韓国サムスン電子はシリコンフォトニクスをHBM(高帯域幅メモリ)や先端パッケージングと組み合わせ、半導体受託生産(ファウン »

バイトダンス、台湾・聯発科技のデータセンター向けAIチップを調達か

バイトダンス、台湾・聯発科技のデータセンター向けAIチップを調達か

米ブルームバーグは14日、動画投稿アプリ大手「TikTok(ティックトック)」を運営する北京字節跳動科技(バイトダンス)が、台湾のファブレス半導体設計企業、聯発科技(MediaTek)からデータセンター向け半導体を調達す »

米国、韓国企業の中国国内半導体生産能力に照準

米国、韓国企業の中国国内半導体生産能力に照準

米下院の米中戦略競争特別委員会のジョン・ムーレナール委員長(共和党)は9月30日、マルコ・ルビオ国務長官に書簡を送り、韓国と中国の関係が深まっていることへの監視を強化するよう米政府に求めた。書簡では、米中韓3カ国の首脳・ »

HBM、27年にDRAM総生産能力の約30%に=サムスン予測

HBM、27年にDRAM総生産能力の約30%に=サムスン予測

韓国サムスン電子の金泰宇(Kim Taewoo)執行副社長はこのほど、AI需要の拡大を背景に2027年にはHBM(高帯域幅メモリ)が業界全体のDRAMウエハー総生産能力の約30%を占めるとの見通しを示した。現在の約20% »

米エヌビディア、ガラス基板の導入を加速

米エヌビディア、ガラス基板の導入を加速

米半導体大手のNVIDIA(エヌビディア)は、半導体チップ向けガラス基板の実用化を本格的に推進している。サプライチェーン各社に対し、2年以内に量産化に向けた技術課題を克服するよう求めており、2028年には次世代GPU(画 »

半導体シリコンウエハー、値上げの波が到来

半導体シリコンウエハー、値上げの波が到来

台湾の工商時報は23日、AI向けロジック半導体とメモリ半導体の増産が同時に進むなか、12インチ半導体シリコンウエハーの需給が一段と逼迫しており、2027年の長期供給契約(LTA)では値上げの流れがほぼ固まったと報じた。 »

サムスン、米テイラー工場で月末に2ナノ試作開始 受注はすでにフル

サムスン、米テイラー工場で月末に2ナノ試作開始 受注はすでにフル

韓国サムスン電子は9日、米テキサス州テイラーに建設した半導体工場で、今月末から2ナノメートル(nm)世代の半導体の試作生産を開始すると明らかにした。注目されるのは、同工場の予定生産分がすでにすべて予約済みとなっている点だ »

TSMCとサムスン、ASMLのHigh-NA EUVを導入へ

TSMCとサムスン、ASMLのHigh-NA EUVを導入へ

オランダの半導体製造装置大手のASMLは8日、最新世代の「High-NA EUV(高開口数極端紫外線)」露光装置について、複数の主要半導体メーカーから導入に向けたコミットメントを得ていることを明らかにした。韓国サムスン電 »

韓国、半導体の輸出管理を強化 高性能AIチップと先端製造装置を「戦略物資」に追加

韓国、半導体の輸出管理を強化 高性能AIチップと先端製造装置を「戦略物資」に追加

韓国政府は先端半導体分野の輸出管理を強化する。一部の高性能AI半導体や先端半導体製造装置を「戦略物資」に追加し、9月1日から、韓国企業が技術基準を満たす対象製品を輸出する際には、事前に政府の許可を取得することを義務付けた »

長シン存儲、HBM3Eのリスク試作を開始か 数週間以内に量産移行の可能性

長シン存儲、HBM3Eのリスク試作を開始か 数週間以内に量産移行の可能性

中国のDRAM大手である長シン存儲(CXMT)が次世代メモリ「HBM3E」のリスク試作を開始したと、米テクノロジーメディアThe Informationが1日報じた。韓国のSKハイニックス、サムスン、米Micron Te »

「モリブデン」が多層化するNANDの必須材料に、成膜装置で10億ドル超の追加市場

「モリブデン」が多層化するNANDの必須材料に、成膜装置で10億ドル超の追加市場

半導体業界では、NANDフラッシュメモリの高層化に伴い、従来のタングステン(W)からモリブデン(Mo)への材料転換が進み始めている。2027年だけでNAND向けモリブデン成膜装置の売上高は10億ドル(約1593億円)を超 »