Tag Archive

中国企業がHBM量産準備、生成AIブームで需要急増

By AAiT 管理者

生成人工知能(AI)の普及で需要が急速に高まる高帯域幅メモリー(HBM)市場への本格参入に中国企業が動き始めている。HBMは非常に高いデータ転送速度を持ったDRAMで、2013年に初めて製造された。中国は同分野で出遅れて »

サムスン電子も自動運転車開発を打ち切りか=韓国メディア

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サムスン電子、Q1の営業利益は10倍の6.6兆ウォン チップ事業は黒字転換

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韓国SKハイニックス、新メモリ工場に約20兆ウォン投資発表

By AAiT 管理者

韓国半導体最大手のSKハイニックスは24日、約20兆ウォン(約2兆2000億円)を投じて韓国の忠清北道清州市に次世代HBM(広帯域ストレージ)などDRAMを生産する新工場「M15X」を建設すると発表した。世界で急成長する »

サムスン、米テキサス州への半導体投資を440億米ドルに増額か

By AAiT 管理者

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韓サムスン、米国でのメモリー特許訴訟で勝訴

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韓国の半導体設計・IPサービス企業、中国市場に参入へ意欲

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華為、多重露光による「5ナノ製造法」特許出願

By AAiT 管理者

中国の知的財産担当の中国国家知識産権局は3月27日、中国通信機器大手の華為技術(ファーウェイ)が出願した複数の特許の内容を公開した。そのうちの1つは、最先端の極端紫外線(EUV)露光装置を使わなくても、5ナノメートル(n »

韓サムスンと米マイクロソフト、社内向けチャットボット開発へ=外電

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サムスン電子、人型ロボット市場参入戦略を策定か

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AMD、一部4nmのCPUの委託生産をTSMCからサムスンに切り替えか

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サムスン電子の半導体部門、Q1は4.6兆ウォンの赤字に

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韓国サムスン電子が27日に発表した今年第1四半期(1~3月)の連結決算(速報値)は、売上高が前年同期比18.1%減の63兆7,454億ウォン(約6兆3,745億円)、営業利益は95.5%減の6,402億ウォンとなった。 »

NANDフラッシュメモリの長江存儲、「脱米国」で24年にも試験生産か

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サムスン電子、メモリ特許侵害で3億米ドルの損害賠償判決

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米メモリサブシステムメーカーのNetlist(ネットリスト)が 同社のメモリに関する複数の特許を侵害したとして韓国サムスン電子に対し4億 400 万米ドル(約542億4,100万円)の損害賠償を求めていた裁判で、 テキサ »

サムスン、日本に新たな半導体研究開発センター

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サムスンの3ナノ半導体量産、“極小規模”か

By AAiT 管理者

韓国のサムスン電子は6月30日、回路線幅が3ナノメートルの半導体の量産を開始したと発表した。半導体を受託製造するファウンドリーの世界大手である台湾積体電路製造(TSMC)は3ナノ半導体の年内量産開始を予定しており、最先端 »

サムスン電子がロボット事業の専門チーム、3年で23兆円投資へ

By AAiT 管理者

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