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韓国SKハイニックス、新メモリ工場に約20兆ウォン投資発表
韓国半導体最大手のSKハイニックスは24日、約20兆ウォン（約2兆2000億円）を投じて韓国の忠清北道清州市に次世代HBM（広帯域ストレージ）などDRAMを生産する新工場「M15X」を建設すると発表した。世界で急成長するAI（人工知能）開発需要に対応する。
新工場は今月末に着工し、まず5兆3000億ウォンを投じる。工場は2025年11月までに竣工し、量産を開始する計画だ。
SKハイニックスは、AI向けのHBMを生産している。 HBMはAIチップの重要な構成要素であり、SKハイニックスはHBMチップでライバルのサムスン電子をリードしている。
SKハイニックスは4月19日、次世代HBM製品の生産と、HBMとロジック層を統合する先進パッケージング技術の強化について半導体受託生産大手の台湾積体電路製造（TSMC）と覚書（MOU）を締結。SKハイニックスは、26年に生産開始が見込まれる第6世代のHBM製品「HBM4」の開発で協力する計画だ。
SKハイニックスは今月初めにも、38億7000万米ドル（約5998億5000万円）を投じて米国インディアナ州に先端パッケージング工場とAI製品研究センターを建設する計画を発表しており、28年後半に量産を開始する予定の次世代HBM生産ラインの構築に注力する。
■「HBM4」のベースダイはTSMCの7nmプロセスか
23日付韓国The Elecは、SKハイニックスが26年に生産開始を目指す「HBM4」のベースダイ（Base Die）について、TSMCの7ナノメートル（nm）プロセスで生産されることになる見通しだと報じた。
HBMのベース・ダイは、プロセッサとの通信を担当するコントローラとしても機能する。SKハイニックスはこれまで、HBM製品のベースダイの製造にはストレージ半導体プロセスを使用してきた。TSMCは、SKハイニックスのHBM4向けに先進的なロジックプロセスを使用することで、HBMに対する顧客のカスタマイズ需要に応えていくとみられる。
一方、米TrendForceは昨年11月、SKハイニックスのHBM4のベースダイは12nmプロセスがベースとなると予測していた。
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