IBMとラムリサーチ、1nm未満の先端ロジックプロセス開発で提携

(IBMの発表より)

米テクノロジー企業IBMは10日、半導体装置メーカーLam Research(ラムリサーチ)と、1ナノメートル(nm)未満の先端ロジックプロセス開発に向けた共同研究契約を締結したと発表した。契約期間は5年間で、新材料、先端エッチング/成膜技術、さらにHigh NA EUV(高開口数極端紫外線)露光技術の共同開発に注力する。

両社は、IBMのアルバニー研究拠点における最先端研究能力と、ラムリサーチのプロセス装置および技術力を組み合わせ、ナノシートおよびナノスタック構造デバイス、さらに裏面給電(バックサイドパワーデリバリー)を含む次世代トランジスタの製造プロセスを構築・検証する。これにより、High NA EUVによる微細パターンを実際のデバイス層へ高精度に転写し、高歩留まりとさらなる微細化の両立を目指す。

IBMの半導体部門ゼネラルマネージャーであるMukesh Khare氏は、「ラムリサーチは過去10年以上にわたり、ナノシート技術や2021年に発表した世界初の2nmチップなど、ロジック微細化の重要な進展に貢献してきた。今回の提携拡大により、High NA EUVと1nm未満プロセスという次の挑戦に共同で取り組む」とコメントした。

一方、ラムリサーチのCTO兼サステナビリティ責任者であるVahid Vahedi氏は、「業界が3次元微細化の時代へ移行する中、材料・プロセス・露光技術を統合した高密度システムの再設計が不可欠だ。IBMとの連携を通じて、High NA EUV向けドライレジストやプロセス技術の革新を加速し、低消費電力かつ高性能なトランジスタの実現を目指す」と述べた。

今回の協業は、AI時代に求められる高性能半導体の開発を加速させる取り組みとして、業界内で大きな注目を集めている。

IBM and Lam Research Announce Collaboration to Advance Sub-1nm Logic Scaling

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