Tag Archive

サムスン電子、メモリ半導体開発事業部を新設=HBM開発チームを統合

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AI需要の急増でメモリ市場が逼迫、SanDisk製NAND価格が50%高騰

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SKハイニックス、TSMCと連携強化 次世代HBM用ベースダイを共同開発へ

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中国メモリ最大手の長江存儲、IPOへ準備

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中国半導体メモリ大手の長江存儲科技(YMTC、湖北省武漢市)が、中国本土での新規株式公開(IPO)を準備しているもようだ。企業評価額は1,600億~3,000億元(約3兆4000億~6兆4000億円)に達する見通しで、実 »

長江存儲、DRAM市場進出か HBMも視野

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米国、サムスン・SKハイニックスの中国工場に「年次承認制度」提案

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米国政府は、韓国半導体大手サムスン電子とSKハイニックスの中国工場で使用される半導体製造装置の輸出について、無期限の包括的許可を撤廃し、1年ごとの承認制に移行する方針を検討していることが明らかになった。米ブルームバーグが »

中国の半導体技術、韓国を追い抜き世界2位に浮上

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SKハイニックス、321層QLC NANDフラッシュの量産開始を発表

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韓国の半導体大手、SKハイニックスは24日、321層構造の2Tb(テラビット)QLC NANDフラッシュメモリーを開発し、量産を開始したと発表した。 同社は「世界で初めて300層を超えるQLC NANDフラッシュの開発に »

長シン存儲技術が上場へ、内製メモリーの採用比率も着実に拡大

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中国証券監督管理委員会(CSRC)の公式ウェブサイトによると、中国の国産DRAMメーカー、長シン存儲技術(シンは金が3つ、CXMT、安徽省合肥市)が上場(IPO)に向けた企業指導を開始した。中国で内製された国産メモリーの »

韓サムスン、消費者向けMLC NAND出荷を停止へ=自動車向けに移行

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SKハイニックス、321層NAND搭載の「UFS 4.1」発表

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SKハイニックス、インテルのNANDフラッシュメモリ事業買収を完了

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韓国の中国向け半導体輸出が急減 中国企業の技術・生産能力向上で

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韓国の今年2月の中国向け半導体輸出が前年同月比31.8%減少した。中国は韓国の半導体輸出の約4割を占める輸出主要国だが、DRAMなどを中心に中国企業の半導体技術と生産能力が向上したことが急減した要因とされている。 »

マイクロン、サムスンなど、NAND単価を4月から値上げへ

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サムスン、中国の24年売上高が約54%増  トランプ関税前の駆け込み需要で

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サムスンの西安工場、286層NANDフラッシュプロセスにアップグレードへ

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韓国サムスン、西安市のNAND工場を月産17万枚に減産か

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米マイクロン、シンガポールに新HBMパッケージング施設を着工

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世界のHBM出荷量、25年は70%増に=米調査会社

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韓国サムスン、400層NAND技術の開発を完了か

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米マイクロン、第9世代NANDフラッシュ製品を量産開始

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長江存儲、3D NANDの特許侵害疑いで米マイクロンを提訴

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米マイクロン、第3四半期の売上高は81.5%増の68億米ドル

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サムスン、インドにSSDの研究開発チームを設立

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米半導体大手の中国撤退相次ぐ、輸出規制が影響か

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米半導体大手の中国市場からの撤退が相次いでいる。米半導体メーカー大手のMarvell Technology(マーベル・テクノロジー)がNANDフラッシュメモリ部門を撤退させる方針のほか、米半導体大手のTexas Inst »

米Marvell、中国と台湾のNANDフラッシュ制御ICチーム撤退か

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米政府、中国への半導体規制の「抜け穴」を塞ぐ

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米商務省の産業安全保障局(BIS)は現地時間17日、中国の半導体チップと半導体製造装置に関する新たな輸出管理規則を発表した。チップの性能密度を制限項目に追加。マカオなど22の国も輸出規制の対象にし、第三国を迂回した調達を »

韓サムスン、西安NAND工場をアップグレードか 米の輸出許可受け

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米半導体のマックスリニアが慧栄科技の買収中止を発表 中国当局の条件が影響か

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米アナログ・無線周波数チップメーカーのMaxLinear(マックスリニア)は現地時間26日、台湾NANDフラッシュメモリ制御チップ大手の慧栄科技(Silicon Motion)の買収を中止すると発表した。中国市場監督管理 »

サムスン電子の半導体部門、Q1は4.6兆ウォンの赤字に

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韓国サムスン電子が27日に発表した今年第1四半期(1~3月)の連結決算(速報値)は、売上高が前年同期比18.1%減の63兆7,454億ウォン(約6兆3,745億円)、営業利益は95.5%減の6,402億ウォンとなった。 »