Tag Archive
米国とインド、インドに半導体工場設立を発表
米国とインドは21日、インドに半導体製造工場を共同で建設することで合意に達したと発表した。モディ首相が掲げるインド製造業強化の計画を後押しする。 »
独インフィニオン、世界初の12インチGaNウエハーを発表
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GaNパワー半導体の世界市場、30年までに43億米ドルに拡大予想
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次世代半導体GaNの用途に期待、中国チームは量子光源の素材に活用
次世代パワー半導体の新素材としての窒化ガリウム(GaN)の応用展開に業界の注目が集まっている。中国の研究チームはこのほど、GaNを材料に用いた量子光源の開発に世界で初めて成功した。 »
米Power Integrations、GaNトランジスタのOdysseyの資産買収
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中瓷電子の子会社、車載SiC MOSFETがBYD車種に一括採用
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パワー半導体デバイスの安森徳、戦略的資金で数千万ドル獲得
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中電科、江蘇省南京のエピタキシャル材料工場が稼働開始
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NIOが出資、GaNパワー半導体の晶湛半導体
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GaNパワー半導体の米ナビタス、中国の輸出規制「当面は影響ない」
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中国製造業の「信頼性」を世界トップレベルに、工業部などが目標
工業情報化部、科学技術部、財政部など中国政府5部門は6月30日、「製造業の信頼性向上に関する実施意見」を発表した。機械、電子、自動車の重点産業の製品の信頼性向上に注力し、2030年までに半導体など10種類の重点コア製品の »
車載チップの元芯半導体、エンジェルラウンドで数千万元調達
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欧益の化合物半導体工場、今月中に建物完成
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テスラのSiC使用量75%削減方針、中国パワー半導体業界に冷や水
電気自動車(EV)大手の米テスラが3月の投資家向け説明会で、次世代モデルの炭化ケイ素(SiC)の使用量を従来比75%削減する方針を示したことは、中国のパワー半導体業界に衝撃をもたらしている。 »
中国各地、第3世代半導体産業を重点支援
中国の地方政府が第3世代半導体産業を重点支援分野に組み入れている。新エネルギー車や通信基地局、データセンター、軌道交通などの領域での需要拡大を見据えて、関連企業の誘致や産業チェーンの育成を推進している。 »
第三世代半導体材料の蘇州幹驊、シリーズB資金調達完了
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