派恩傑半導体が5億元調達、8インチSiCを第4四半期に量産へ

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体デバイスの開発を手掛ける派恩傑半導体(杭州)(浙江省杭州市)は21日、寧波通商基金や寧波勇誠資産管理などの投資家から総額約5億元(約104億円)のA2およびA3ラウンドの資金調達を完了したと発表した。今年第4四半期(10〜12月)に8インチSiCデバイスの量産を開始する計画だ。
派恩傑半導体は2018年9月の設立。SiCのMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、SBD(ショットキーバリアダイオード)、窒化ガリウム(GaN)HEMT(高電子移動度トランジスタ)などのパワーデバイス製品の開発生産を手掛けている。このうちSiC MOSFETチップは国内の自動車メーカーと部品メーカーに量産供給しているほか、データセンター、スーパーコンピューティングとブロックチェーン、5G(第5世代移動通信)基地局、蓄電器・充電スタンド、都市間高速鉄道、鉄道、家電製品、さらに超高電圧、航空宇宙、産業用特殊電源、UPS、モーター駆動などの分野で使用されている。