Tag Archive

長シン存儲技術が上場へ、内製メモリーの採用比率も着実に拡大

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中国証券監督管理委員会(CSRC)の公式ウェブサイトによると、中国の国産DRAMメーカー、長シン存儲技術(シンは金が3つ、CXMT、安徽省合肥市)が上場(IPO)に向けた企業指導を開始した。中国で内製された国産メモリーの »

バイデン米政権、来週にも発表の対中半導体規制は予想より縮小か=米紙

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中国企業がHBM量産準備、生成AIブームで需要急増

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生成人工知能(AI)の普及で需要が急速に高まる高帯域幅メモリー(HBM)市場への本格参入に中国企業が動き始めている。HBMは非常に高いデータ転送速度を持ったDRAMで、2013年に初めて製造された。中国は同分野で出遅れて »

兆易創新、長シン存儲技術に15億元の追加出資へ

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華為、多重露光による「5ナノ製造法」特許出願

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中国の知的財産担当の中国国家知識産権局は3月27日、中国通信機器大手の華為技術(ファーウェイ)が出願した複数の特許の内容を公開した。そのうちの1つは、最先端の極端紫外線(EUV)露光装置を使わなくても、5ナノメートル(n »

DRAMの長キン存儲、米製半導体製造装置の輸入に許可=消息筋

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