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パワー半導体デバイスの瑞能半導体、上海徐匯にR&Dセンター

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楊傑科技、米NVIDIAにMOSFETなど供給へ

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斯達半導体、20億元投じたSiCパワー半導体の新工場が近く稼働開始

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米オン・セミ、第7世代IGBTを発売 電力損失を最大10%削減

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江蘇誠盛科技、9億元投じハイパワーデバイス工場

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長城汽車、自社開発・生産のIGBTをEVに初搭載

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自動車向けパワー半導体の積塔半導体、135億元を調達

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賽晶科技、Aラウンドで1.6億元を調達 IGBTモジュールをEVメーカーに供給へ

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米ダナ、無錫に新たな車両基幹システム工場着工 1.5億米ドル投資

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ルネサスエレクトロニクス、SiCウエハーの長期調達で米Wolfspeedと締結

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半導体大手のルネサスエレクトロニクス(東京都江東区)は5日、SiC(炭化ケイ素)技術の米Wolfspeed(ウルフスピード、ノースカロライナ州ダーラム)から今後10年間にわたりSiCウエハー(ベア / エピタキシャル)を »

吉利汽車傘下パワー半導体の晶能微電子、シリーズAで資金調達  

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車載パワーデバイスの雲潼科技、シリーズAで数億元調達

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