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IDMの士蘭微、福建省に120億元投じ8インチSiCパワーデバイス工場建設へ
集積回路（IC）の自社内で回路設計から製造工場、販売までの全ての設備を持つ垂直統合型のデバイスメーカー（IDM）メーカーである杭州士蘭微電子股フン（Silan、浙江省杭州市）は21日、福建省厦門市に8インチ炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスチップ製造工場を新設すると発表した。投資総額は120億元（約2616億円）を予定している。
杭州士蘭微電子股フンは、厦門半導体投資集団、厦門新翼技実業と共同で厦門市海滄区に合弁会社、厦門市士蘭集宏半導体を設立する。合弁会社がSiC-MOSEFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を主力製品とする8インチSiCパワーデバイス・チップ製造工場を建設する。最終的な月産規模は6万個を計画している。
新工場は2段階で建設する。第1期の投資額は70億元で、このうち資本金は42億1000万元で約60％を占め、銀行融資は27億9000万元で約40％を占める。8インチSiCチップの月産能力は3万5000個。第2期の投資額は50億元。8インチSiCチップの月産能力は2.5万個を予定している。
