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TSMCとサムスン、ASMLのHigh-NA EUVを導入へ
フォトマスクは6インチから12インチへ大型化
オランダの半導体製造装置大手のASMLは8日、最新世代の「High-NA EUV（高開口数極端紫外線）」露光装置について、複数の主要半導体メーカーから導入に向けたコミットメントを得ていることを明らかにした。韓国サムスン電子は2028年までにHigh-NA EUVを量産に投入する計画で、台湾積体電路製造（TSMC）は2030年からの導入を予定する。すでに関連装置を導入している米インテルに続き、世界の主要半導体メーカーが次世代露光技術の採用を進める。
愛集微などが伝えた。High-NA EUV露光装置は、1台当たり最大4億ドルに達するとされる。最先端半導体の微細化を支える一方、極めて高額な設備投資が導入を進めるうえでの課題となっている。
今回の協力では、露光装置そのものだけでなく、半導体製造に使用するフォトマスクの大型化も焦点となっている。
ASML、TSMC、サムスン、米Intel（インテル）の4社は、現在業界で広く使用されている6インチのフォトマスクを、段階的に12インチへ大型化する方向で協力する。フォトマスクは、半導体回路のパターンをウエハー上に転写する際に使用する原版だ。大型化によって製造効率を高め、コストを削減する狙いがある。
ASMLのマルコ・ピータース最高技術責任者（CTO）は、より大型のフォトマスクを採用することで、High-NA EUV装置のスループットを約40％向上させられる可能性があると説明している。また、半導体の設計工程を簡素化する効果も期待されている。
High-NA EUVは、従来のEUV露光技術よりも高い解像度を実現できる。先端プロセスでは微細化が進むにつれて複数回の露光工程が必要となるケースが増えるが、High-NA EUVの導入によって多重露光の複雑さやコストを抑えられる可能性がある。
TSMCは2030年から導入
TSMCはこれまで、High-NA EUVの大規模導入について比較的慎重な姿勢を示してきた。最大の理由は、装置価格の高さに対して、生産性をどこまで高められるかという経済性の問題だ。
最新の計画では、TSMCは2030年から、現在主流となっている6インチフォトマスクを使用するHigh-NA EUVシステムを導入する。
さらにASMLと共同で、2031年までに12インチフォトマスクのテストラインを構築する計画だ。最終的には2033年を目標に、12インチフォトマスクとHigh-NA EUVを組み合わせた量産技術の導入を目指す。
一方、サムスンは2028年からASMLのHigh-NA EUV装置をメモリーチップの生産に活用する計画。必要となるフォトマスク技術や関連インフラについても、業界パートナーと共同開発を進める。
インテルはすでにHigh-NA EUV装置を受け取っており、大型フォトマスクの技術開発にも3年以上にわたって取り組んでいる。
