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TSMCとサムスン、ASMLのHigh-NA EUVを導入へ
オランダの半導体製造装置大手のASMLは8日、最新世代の「High-NA EUV(高開口数極端紫外線)」露光装置について、複数の主要半導体メーカーから導入に向けたコミットメントを得ていることを明らかにした。韓国サムスン電 »
ASMLのHigh-NA EUV露光装置、世界で10台が稼働
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米インテル、14AプロセスでTSMCを追撃
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SKハイニックス、ASMLのEUV露光装置を調達へ
韓国の半導体大手、SKハイニックスは24日、オランダの露光装置大手ASMLからEUV(極端紫外線)リソグラフィー(露光)装置を80億ドル(約1兆2712億円)で購入すると発表した。韓国メモリチップメーカーがメモリ市場の主 »
米国スタートアップSubstrate、新型リソグラフィーを開発
米半導体製造装置のスタートアップ、Substrate(サブストレート)はこのほど、自社が開発した半導体製造装置が、現在世界で最も先進的なリソグラフィーに匹敵する性能を備えていると発表した。 »




