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米インテル、ASMLのHigh-NA EUVを追加発注か=米報道
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深セン穏頂聚芯、初の国産ステッパー型露光装置を出荷
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中国の露光装置、「依然65nm水準、ASMLに約20年遅れ」
外資系投資銀行ゴールドマン・サックスが最新の調査報告によると、中国は近年半導体分野で急速に発展しているものの、半導体製造の要となる露光装置(リソグラフィー)は現在も65ナノメートル(nm)世代にとどまり、国際的な大手メー »
IC設備の芯碁微装、合肥市の第2期工場が稼働開始
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中国初の商用電子ビーム露光装置、0.6nm精度を突破
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芯上微装、ステッパー型露光装置500台目を納入
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莱宝高科、電子ペーパーディスプレイ工場に初の露光装置を搬入
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ユアサ化成、江蘇省に7億元投じて半導体封止・検査工場を着工
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盛美上海、資金調達計画を一部修正=投資額を9.22億元に引き下げ
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中国政府、8nmプロセス以下のDUV装置の開発推進
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韓サムスン、ASMLの高NAEUV導入計画を削減へ
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芯碁微装、パワー半導体向け直描式露光装置を日本に輸出
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京華激光、光学プレート製造向けフォトリソグラフィ装置を開発
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ASMLの第1四半期、売上の49%が中国本土市場から
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ASML、中国へのハイエンドDUV輸出を撤回 米国の要請受け
オランダの半導体露光装置大手、ASMLは1日、同社の先端深紫外(DUV)露光装置の輸出ライセンスの一部がオランダ政府から取り消されたと公式サイトで発表した。バイデン米政権の要請を受けた緊急の対応とみられる。 »
ASML初の2nm露光装置、インテルに正式納入
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韓チェムトロニクス、170億ウォン投資でEUV露光装置材料の生産拡大
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半導体露光装置の上海微電子、IPOで微細化装置の開発加速へ
半導体露光(リソグラフィー)装置の中国最大手、上海微電子装備(SMEE、上海市)が新規株式公開(IPO)を目指している。米国、日本、オランダによる先端半導体の輸出規制が強化される中、IPOによる資金調達などで半導体製造装 »
8月の中国半導体売上高2%増、オランダから先進設備輸入
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