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TSMC、8月売上高が53%増 AI向け半導体の供給不足が続く
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TSMCとサムスン、ASMLのHigh-NA EUVを導入へ
オランダの半導体製造装置大手のASMLは8日、最新世代の「High-NA EUV(高開口数極端紫外線)」露光装置について、複数の主要半導体メーカーから導入に向けたコミットメントを得ていることを明らかにした。韓国サムスン電 »
中国の半導体自給率が70%に上昇も露光装置がボトルネック=米ゴールドマン
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ASMLのHigh-NA EUV露光装置、世界で10台が稼働
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米国、オランダに中国向けDUV露光装置の輸出禁止を迫るか
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中国企業、液浸DUVの小ロット製造開始 SMICなどに納入=米報道
27日付米国テクノロジーメディア、The Informationが事情通の情報として報じたところによれば、上海に本社を置く国有資本背景を持つ企業がこのほど、液浸式深紫外線(DUV)露光機の小ロット製造を開始した。 202 »
ロシア、150nmリソグラフィー装置のプロトタイプ2台を製造
ロシアのゼレノグラード・ナノテクノロジーセンター(ZNTC)はこのほど、設計プロセスが150ナノメートル(nm)の電子ビームリソグラフィー(露光)システムのプロトタイプ2セットの全面的なテストを開始した。装置のテストは約 »
ASML、生産能力30%拡大を発表
半導体製造装置大手のオランダASMLが15日発表した2026年第2四半期(3〜6月)の決算によると、総売上高は93億2600万ユーロ(約1兆7281億円)、純利益は29億1800万ユーロで、2つの主要指標はいずれもウォー »
龍図光罩、14.6億元増資で40〜28nmの半導体フォトマスク生産ライン建設
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ASML、26年Q1の売上高は88億ユーロ 新型露光装置67台を出荷
半導体製造装置大手のオランダASMLが現地時間14日発表した2026年第1四半期(1〜3月)決算によると、純売上高は88億ユーロ(1兆6491億2000万円、このうちインストールベースのアフターサービスは25億ユーロ)、 »
imecが2nm未満向けパイロットライン始動、3月にHigh NA EUV導入へ
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世界の半導体製造装置大手20社、中国が3社を占める
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ASMLが再び過去最高業績、EUV74億ユーロ受注
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韓国SKハイニックス、無錫工場でDRAMプロセスの高度化に成功
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米インテル、ASMLのHigh-NA EUVを追加発注か=米報道
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深セン穏頂聚芯、初の国産ステッパー型露光装置を出荷
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中国の露光装置、「依然65nm水準、ASMLに約20年遅れ」
外資系投資銀行ゴールドマン・サックスが最新の調査報告によると、中国は近年半導体分野で急速に発展しているものの、半導体製造の要となる露光装置(リソグラフィー)は現在も65ナノメートル(nm)世代にとどまり、国際的な大手メー »
IC設備の芯碁微装、合肥市の第2期工場が稼働開始
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中国初の商用電子ビーム露光装置、0.6nm精度を突破
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芯上微装、ステッパー型露光装置500台目を納入
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莱宝高科、電子ペーパーディスプレイ工場に初の露光装置を搬入
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ユアサ化成、江蘇省に7億元投じて半導体封止・検査工場を着工
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盛美上海、資金調達計画を一部修正=投資額を9.22億元に引き下げ
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中国政府、8nmプロセス以下のDUV装置の開発推進
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韓サムスン、ASMLの高NAEUV導入計画を削減へ
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芯碁微装、パワー半導体向け直描式露光装置を日本に輸出
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京華激光、光学プレート製造向けフォトリソグラフィ装置を開発
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ASMLの第1四半期、売上の49%が中国本土市場から
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ASML、中国へのハイエンドDUV輸出を撤回 米国の要請受け
オランダの半導体露光装置大手、ASMLは1日、同社の先端深紫外(DUV)露光装置の輸出ライセンスの一部がオランダ政府から取り消されたと公式サイトで発表した。バイデン米政権の要請を受けた緊急の対応とみられる。 »
ASML初の2nm露光装置、インテルに正式納入
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韓チェムトロニクス、170億ウォン投資でEUV露光装置材料の生産拡大
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半導体露光装置の上海微電子、IPOで微細化装置の開発加速へ
半導体露光(リソグラフィー)装置の中国最大手、上海微電子装備(SMEE、上海市)が新規株式公開(IPO)を目指している。米国、日本、オランダによる先端半導体の輸出規制が強化される中、IPOによる資金調達などで半導体製造装 »
8月の中国半導体売上高2%増、オランダから先進設備輸入
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