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韓国メモリー大手2社、先端DRAM増産へEUV露光装置の確保競う
先端DRAMの供給が逼迫し、市場の需要も拡大するなか、韓国のメモリー大手2社は、次世代メモリーチップの量産拡大に向け、露光装置の確保を急いでいる。
韓国メディアが業界関係者の話として報じたところによると、サムスン電子とSKハイニックスは、オランダの半導体製造装置メーカー、ASMLの極端紫外線（EUV）露光装置の発注を競っており、各社の投資額は最大20兆ウォン（約2兆円）に達する可能性がある。ASMLは先に、EUV装置の供給不足を見込んでいると明らかにしており、先端DRAMの生産能力を拡大するうえで、装置の納入枠を確保することが重要になっている。
業界関係者によると、装置の納期は従来の約2倍に延びたとされる。両社は供給を確保するため、発注を前倒しすることを検討しており、今後、設備投資がさらに膨らむ可能性もある。
SKハイニックスは今年3月、約11兆9,500億ウォン規模のEUV装置購入計画を公表した。これは2024年末時点の総資産の9.97％に相当する。同装置は2027年12月31日までに納入される予定で、同社の1c世代DRAMへの移行を支える。
サムスン電子も先端DRAMの生産能力拡大を進めている。平沢（ピョンテク）のP4工場では、HBM4向けのモノリシックDRAM生産ラインを増設中だ。P5工場の建設も進めており、同工場の第1棟は2028年の稼働開始を見込む。報道によると、同社はP5向けの露光装置をすでに発注しており、第1期クリーンルームが2027年上半期に完成すれば、装置を稼働させる計画だ。
両社はさらに、次世代DRAMの生産に向け、より先進的な高NA（開口数）EUV技術の導入準備を進めている。
サムスン電子とSKハイニックスは、2027年に1D世代DRAMの量産を始め、その後、2028年には10ナノメートル未満の0a世代DRAMを小規模生産する計画とされる。高NA EUVは0a世代で導入される見通しだ。当初は一部の層に適用されるとみられ、サムスンはコストと歩留まりのバランスを考慮し、1～2層に限定して使うことを検討しているという。
一方、EUV装置の供給不足は2028年まで続く可能性がある。ASMLは10月に発表した決算で、2027年、2028年ともに予定する供給量が需要に追いつかないとの見通しを示した。一部顧客は、2029年や2030年に納入される装置の発注意向もすでに伝えているという。
ASMLは、2028年の生産能力を拡大し、従来想定していた前年比30％増の目標を上回る方法を検討している。同社の第3四半期決算によると、メモリーメーカーはシステム売上高の46％を占めた。ASMLは、主力製品の値上げによる影響が来年から表れ始め、2028年には本格化するとの見通しを示している。
同様の供給不足は後工程装置にも及んでいる。韓美半導体やアムコーなどの受注残は2～3年分に達している。最終発注の段階に入るなか、各社はAIデータセンター関連装置の生産能力を拡大している。これには、HBM製造に使う熱圧着（TC）ボンダーも含まれる。
専門家は、AI投資の拡大局面はなお続いており、需要は演算用半導体からメモリー、製造、装置へと波及する可能性があると分析する。メモリー価格の上昇と装置不足は、2027年まで続く可能性があるとしている。
