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ロシア、150nmリソグラフィー装置のプロトタイプ2台を製造
ロシアのゼレノグラード・ナノテクノロジーセンター（ZNTC）はこのほど、設計プロセスが150ナノメートル（nm）の電子ビームリソグラフィー（露光）システムのプロトタイプ2セットの全面的なテストを開始した。装置のテストは約4カ月間続く予定である。
このシステムはシリコンウエハー上に直接マイクロ回路のパターンを形成することができ、マスクを使用せずにフォトマスクを製作することも可能だ。この手法はプロトタイプ開発、研究開発、および専用マイクロ回路の小ロット生産に適している。
一方、米半導体大手Intel（インテル）や半導体受託生産（ファウンドリー）世界大手の台湾積体電路製造（TSMC、台積電）など世界の大手チップメーカーはすでに1.8nm〜2nmプロセスを用いたプロセッサーの大量生産を開始しており、先進のEUVリソグラフィー装置を採用している。
全体として、ロシア国産の150nmリソグラフィー装置は素子の線形寸法において先進の商用標準より75倍遅れており、素子面積（トランジスタ密度）においては5625倍遅れている。ロシアのこのシステムは2000年代初頭の工業水準、すなわちPentium 4プロセッサーの時代に相当する。
ロシアの第一副首相デニス・マントゥーロフ（Denis Manturov）氏は、ロシアが45年ぶりに世界のマイクロエレクトロニクス強国の仲間入りを果たしたと述べた。同氏は2026年末までにロシアが130nmリソグラフィ技術を習得する見込みだと予測している。
