Tag Archive

サムスン、HBM4を今月末に発表か=年内に量産開始へ

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米マイクロン、HBM4開発成功を確認  26年前半に量産開始へ

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韓美半導体、27年から混合ボンディング装置を販売へ

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サムスン、平沢P5工場の建設を再始動=次世代HBM4市場狙う

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米エヌビディア、HBMベースダイを自社開発へ 27年下期に試験生産

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サムスン、15%の米韓関税協定で「不確実性軽減」

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韓国サムスン電子は7月31日、米国が韓国からの輸入品に15%の相互関税を課す貿易協定の締結を受け、「今後の不確実性が緩和された」と表明した。同社は、米Tesla(テスラ)と締結した165億米ドル(約2兆4660億円)規模 »

韓美半導体、HBM4向け装置の開発チームを新設

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サムスン、4nmロジックチップの歩留まり40%超えか

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米マイクロン、シンガポールに新HBMパッケージング施設を着工

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米マイクロン、HBM4Eは26年に量産開始見通し

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サムスン、次世代「HBM4」に4nmプロセス採用へ 

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米NVIDIAの次世代AIチップ「R100」、25年第4四半期に量産化見通し=郭明錤氏

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韓国SKハイニックス、新メモリ工場に約20兆ウォン投資発表

By AAiT 管理者

韓国半導体最大手のSKハイニックスは24日、約20兆ウォン(約2兆2000億円)を投じて韓国の忠清北道清州市に次世代HBM(広帯域ストレージ)などDRAMを生産する新工場「M15X」を建設すると発表した。世界で急成長する »