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SKハイニックスとサンディスク、HBFの初の標準仕様を発表
韓国大手メモリメーカーのSKハイニックスは4日、米Sandisk(サンディスク）と共同で、次世代ストレージ技術である高帯域幅フラッシュ（HBF、High Bandwidth Flash）の初の標準仕様を発表した。
HBFは、HBM（高帯域メモリ）とSSDの中間に位置する新しいストレージ階層で、HBMと同様の高速データ転送能力を備えるだけでなく、NANDフラッシュメモリを活用することで容量を大幅に拡大できる。AI（人工知能）推論の普及やデータ処理需要の急増を背景に、その高帯域幅と拡張可能な容量という特長が注目を集めている。
今回の発表は、現地時間8月4日から6日まで米国カリフォルニア州サンタクララ・コンベンションセンターで開催される「フラッシュメモリ・サミット（Flash Memory Summit）2026」（以下「FMS 2026」）の開幕に合わせて行われた。同社はサミット期間中に基調講演を行い、円卓会議にも参加し、AI時代のメモリボトルネックを解消する鍵となる技術としてHBFを紹介する予定だ。
HBFは、HBMとSSDの中間に位置する新しいストレージ階層であり、HBMと同様の高速データ転送能力を備えるだけでなく、NANDフラッシュをベースにすることで容量を大幅に拡大することも可能です。AI推論の普及やデータ処理需要の急増を背景に、その高帯域幅と拡張可能な容量という特長が注目を集めている。
今回発表された規格は、SKハイニックスが昨年8月にサンディスクとHBFの標準化に向けた協力を開始し、今年2月にアライアンスを設立して以来、約6カ月をかけて導き出された最初の成果だ。この規格では、8層および16層のNANDチップを積層した2種類の容量構成が定義されており、最大512ギガバイト（GB）の容量に対応。また、3つのグレード（Grade 1～3）ごとに帯域幅基準が設定されており、データ転送能力は約0.4TB/sから3.0TB/sをカバーする。
注目は、HBFとプロセッサ間の接続に業界標準のUCIe*インターコネクト（異なる半導体チップ間を高速に相互接続するためのオープンな標準インターフェース仕様）を採用しており、HBFとGPUやCPUなど異なるタイプのプロセッサを柔軟に接続するための基盤を築いた点だ。
さらに、この仕様には、相互接続インターフェースと電気的特性、HBFダイ積層プロセスの信頼性とパッケージングガイドライン、およびデータ読み書き用ソフトウェアの使用ガイドラインなどが含まれている。仕様は、世界最大のオープンデータセンター技術協力組織であるOCP（Open Compute Project）によって発表され、企業の独自規格ではなく、業界共通のオープン標準となった。
同社はAIストレージ市場におけるHBFの規模拡大を加速させ、エコシステムの構築を推進する計画だ。現在、HBFアライアンスには米Google（グーグル）とTenstorrentが参加している。今後、同社はオープンな協力を基盤として、エコシステムを継続的に拡大するとともに、技術の成熟度と市場での受容性を高めていく計画だ。
