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中国産DUV露光装置、対応プロセスは55~65nm止まり

By AAiT 管理者

中国の半導体情報メディア『芯智訊』は17日、中国国産の深紫外線(DUV)露光装置の性能レベルを分析した記事を掲載した。同記事は、同国産DUVの解像度は65ナノメートル(nm)で、半導体露光装置の中国最大手、上海微電子装備 »

半導体露光装置の上海微電子、IPOで微細化装置の開発加速へ

By AAiT 管理者

半導体露光(リソグラフィー)装置の中国最大手、上海微電子装備(SMEE、上海市)が新規株式公開(IPO)を目指している。米国、日本、オランダによる先端半導体の輸出規制が強化される中、IPOによる資金調達などで半導体製造装 »