合肥世紀金芯、日本企業から8インチSiC基板13万枚受注
半導体SiC(炭化ケイ素)機能材料開発の合肥世紀金芯半導体(安徽省合肥市)は22日、日本の顧客企業から8インチSiC(炭化ケイ素)基板を合計13万枚、約2億米ドル(約309億4200万円)分を受注したと発表した。
2024年から26年まで3年連続で供給する。日本企業名は明らかにしていない。
合肥世紀金芯半導体が開発した8インチSiC単結晶成長技術は、4H結晶タイプの成長を100%繰り返すことができ、直径は200mm以上、結晶の厚さは10mm以上。さらにプロセスを最適化することで、8インチSiCインゴットの厚さは20mm以上に達するという。今年2月には合肥工場の8インチSiC加工ラインが正式に小ロット生産に移行しており、7月には量産開始できる見込みだ。
合肥世紀金芯半導体は2019年12月の設立で、登録資本金は3億5000万元(約74億7600万円)。22年9月には、合肥ハイテク区で建設を進めていた年産量3万枚の6インチ炭化ケイ素単結晶基板工場が稼働を開始している。親会社の北京世紀金光半導体(旧・中原半導体研究所)は1970年の設立。