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Tower Semiconductor、40億ドルを投じ日本工場を拡張
イスラエル系ファウンドリーのTower Semiconductorはこのほど、日本を大規模な光通信接続技術の中核拠点とする方針を明らかにした。AIインフラ需要の急速な拡大に対応するため、約40億ドルを投じ、シリコンフォトニクス、シリコンゲルマニウム（SiGe）、先端パッケージングの生産能力を増強する。
今回の投資は2段階で実施する。第1段階では、新潟県荒井にある遊休中のFab 6を、300ミリウエハー対応のシリコンフォトニクスおよび先端光学パッケージング工場へ転換する。同時に、富山県魚津市のFab 7では、SiGeとシリコンフォトニクス（SiPho）の生産能力を増強する。第1段階の設備は2027年第4四半期までに全面量産の準備を整える見通しだ。
第2段階では、Fab 7に隣接して新たな300ミリウエハー工場を建設し、SiGe電子集積回路（EIC）とシリコンフォトニクス集積回路（PIC）の生産能力を拡大する。
新工場は既存の生産ラインを補完し、日本の拠点に半導体デバイスの製造から光エンジンの組み立てまでを一貫して担う能力を持たせる。将来的には、光電融合技術である共同パッケージ光学（CPO）の導入に向けた基盤にもなるという。Towerの試算によると、計画が完了すれば、日本国内の生産能力は2029年までに300ミリウエハー換算で月4万5,000枚に達する。2025年の水準と比べて約40倍に拡大する見通しだ。
同社は今回の増強に伴い、約200人を新たに雇用する計画。AI関連インフラのサプライチェーンにおける日本の地位を強化することにもつながると説明している。
資金面では、Towerが30億ドルを投資し、日本の経済産業省が10億ドルを補助する。投資総額は約40億ドルとなる。
